LED芯片的三种封装结构划分为正装、笔直和倒装 ，详细先容如下：01 最早泛起的芯片结构 ，电极、P型半导体层、发光层、N型半导体层和衬底依次排列。该结构中PN结处爆发的热量需要经由蓝宝石衬底才华传导到热沉 ，蓝宝石衬底较差的导热性能导致该结构导热性能较差 ，从而降低了芯片的发光效率和可靠性。该结构简朴、制作工艺相对成熟 ，但保存电流拥挤、散热差和电极金属迁徙等问题。
（1）正装结构LED的p、n电极在LED的统一侧 ，电流需横向流过n-GaN层 ，导致电流爆发拥挤 ，局部爆发大宗热 ，限制了驱动电流；（2）蓝宝石衬底的导热性差 ，严重阻碍了热量的散失；（3）温度和湿度等因素可能导致电极金属迁徙 ，随着芯片尺寸缩小 ，正负电极间距减小 ，可能会有短路的问题泛起。正装芯片有多种分类方法 ，可以凭证发光颜色、芯片功率、应用规模等举行分类。为更好的叙述正装LED芯片的结构。本文凭证芯片功率将芯片分为小功率芯片、中功率芯片、大功率芯片三类。小功率芯片的结构相对简朴 ，制作工艺也相对简朴 ，通常接纳三次光刻制程 ，划分是MESA光刻、ITO光刻、PAD光刻 ，详细流程如下：中功率芯片通�；峤幽�5次光刻制程 ，在小功率的3次光刻工艺的基础上增添了电流阻挡层（CBL）光刻、钝化（PV）光刻 ，详细工艺流程如下：也可以接纳先ITO后MESA的工艺流程 ，这有利于芯片良率的提升 ，详细流程如下：中功率芯片在研磨后通�；岜扯粕细叻⑸渎实腄BR。DBR可以显著提高芯片点测亮度 ，对封装后的亮度也有一定的提升。大功率芯片通常也是接纳中功率的5次光刻制程 ，可是背镀层会由原来的DBR改为ODR（全方位反射层）。蓝宝石衬底的正装结构LED以工艺简朴、成内情对较低 ，一直是GaN基LED的主流结构。现在 ，大都企业为节约生产与研发本钱 ，仍接纳这种结构。
01 接纳高热导率的衬底取代蓝宝石衬底 ，提高了散热效率。两个电极划分在LED外延层的两侧 ，电流险些所有笔直流过LED外延层 ，阻止下场部高温。该结构具有优异的散热性能和可靠性 ，但制备工艺相对重大。
（1）现在 ，现有的所有颜色的笔直结构LED：红光LED、绿光LED、蓝光LED及紫外光LED ，都可以制成通孔笔直结构；（2）所有的制造工艺都是在芯片（wafer）水平举行；（3）由于无需打金线与外界电源相联络 ，接纳通孔笔直结构的LED芯片的封装厚度降低；（5）可以接纳较大直径的通孔/金属填充塞和多个的通孔/金属填充塞进一步提高衬底的散热效率。制备GaN基笔直结构LED的工艺主要分成以下几个办法：外貌处置惩罚、台面蚀刻、钝化层沉积等办法 ，详细流程如下所示：笔直结构的蓝光芯片是正装的基础上爆发的 ，这种芯片是将古板蓝宝石衬底的芯片倒过来键合在导热能力较好的硅衬底或金属等衬底上 ，在将蓝宝石衬底激光剥离。这种结构的芯片解决了散热的问题 ，但由于工艺重大 ，生产及格率较低 ，现在生长不温不火。
三、倒装结构
01 将正装芯片翻转过来 ，使电极朝下。这种结构没有通过蓝宝石散热 ，热量直接传导到热沉 ，散热效果好。同时 ，倒装结构阻止了对出射光的遮挡 ，提高了出光效率。别的 ，倒装结构还具有尺寸小、密度高、光学匹配容易、抗静电能力强等优点。
（1）没有通过蓝宝石散热 ，从芯片PN极上的热量通过金丝球焊点传到Si热沉 ，Si是散热的良导体 ，其散热效果远好于蓝宝石的散热 ，可以通过大电流使用；（2）尺寸可以做到更小 ，密度更高 ，同时光学更容易匹配；（6）电极之间距离较远 ，可以减小电极金属迁徙导致的短路危害。现在 ，由于地制造装备和本钱要求较高 ，做此类芯片的厂商还相对较少。因此 ，在市场应用虽还不是很普遍 ，但具有很是辽阔的远景。
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